产品介绍：

      聚焦离子束的成像原理与扫描电子显微镜基本相同，都是利用探测器接受二次激发出的二次电子来成像，不同之处是以聚焦离子束代替电子束。聚焦离子束轰击样品表面，激发出二次电子、中性原子、二次离子和光子等，收集这些信号，经处理显示样品的表面形貌。

      目前聚焦离子束系统的成像分辨率已达到5nm-10nm，尽管比扫描电子显微镜低，但聚焦离子束成像具有更加真实地反映材料表面形貌的优点。当用镓离子轰击样品时，正电荷会优先集聚到绝缘区域或分立的导电区域，抑制二次电子的激发，一次样品上绝缘区域或分分立的导电区域，抑制二次电子的激发，因此样品上的绝缘区域和分立的导体区域会在离子像上颜色较暗，而接地导体会亮一些，这样就增加了离子成像的衬度。对于同种材料，离子束成像时，不同的晶面的二次电子、二次离子产额有较大的差别，造成各晶面所形成不同衬度的图案，利用这一原理可以对多晶材料薄膜的晶粒取向、晶界的分布和取向做出统计分析。不同材料对离子束成像的贡献差别也会有很大差别。

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