产品介绍：
FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam)，相信从事芯片设计领域的都不会陌生，大多数客户会要我们用聚焦离子束做芯片的电路修改测试，但是除了电路修改测试之外，聚焦离子束在芯片设计领域还有哪些用途呢？
FIB释义：
按照百度百科的解释，FIB是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。
FIB芯片设计及加工过程中的应用：
1.电路修改测试
聚焦离子束可以对问题点做出针对性的线路修改，以及做出针对性测试，加速验证方案的时间，减少设计方案的修改次数，缩短研发周期，加快芯片的上市时间！
2.观测芯片内部信号
在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或电子束（E-beam） 直接观测IC内部信号。
3.快速制备电镜样品
从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜，可以制备研究界面结构的透射电镜试样，而且对原始组织损伤很小。
4.晶粒的鉴定
材料中晶粒的形状和大小以及排列方向。
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